提供一种半导体存储器，其中不需要在SRAM的布线层之间的接触孔处的布图裕量，可减小在位线的布线电容，并可高速地进行存储处理。由一对驱动晶体管、一对转移晶体管、高电阻负载、一对位线、VCC线和GND线构成该SRAM。在第一层形成各晶体管的栅电极和字线，在第二层形成高电阻负载，在第三层形成VCC线和GND线，和第四层形成位线。连接高电阻负载与晶体管的源/漏区的共用接触孔不贯穿其它导电层。因此，不再需要在共用接触孔与其它导电层之间的布图裕量，并由此可减小单元尺寸。