Invention Grant
- Patent Title: 一种多芯片半导体封装及其形成方法
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Application No.: CN202110017729.XApplication Date: 2021-01-07
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Publication No.: CN112802760BPublication Date: 2022-05-06
- Inventor: 孙德瑞
- Applicant: 湖南中科存储科技有限公司
- Applicant Address: 湖南省株洲市天元区黄河北路272号幸福大厦1601(03)室
- Assignee: 湖南中科存储科技有限公司
- Current Assignee: 湖南中科存储科技有限公司
- Current Assignee Address: 湖南省株洲市天元区黄河北路272号幸福大厦1601(03)室
- Main IPC: H01L21/50
- IPC: H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L21/683 ; H01L23/31 ; H01L25/18
Abstract:
本发明涉及一种多芯片半导体封装及其形成方法，在对塑封树脂层进行固化处理的过程中，通过分段固化处理，可以有效抑制硅基晶体管在固化过程中产生硅悬空键，通过先在氧气氛围中使得硅基晶体管充分产生硅悬空键，进而通过在氮气的氛围中热处理过程以使得氧气完全排出，进而在后续的固化过程中通过不同的氢气氛围进行充分的热处理，进而使得硅基晶体管表面的硅悬空键充分的转化为硅氢键，进而有效提高硅基晶体管的稳定性。
Public/Granted literature
- CN112802760A 一种多芯片半导体封装及其形成方法 Public/Granted day:2021-05-14
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IPC分类:
