发明公开
- 专利标题: 具有位置误差校准功能的隧穿磁阻电流传感器及校准方法
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申请号: CN202110004403.3申请日: 2021-01-04
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公开(公告)号: CN112834805A公开(公告)日: 2021-05-25
- 发明人: 李荡 , 焦飞 , 王兰若 , 雷煜卿
- 申请人: 中国电力科学研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号
- 专利权人: 中国电力科学研究院有限公司
- 当前专利权人: 中国电力科学研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号
- 代理机构: 北京中巡通大知识产权代理有限公司
- 代理商 李宏德
- 主分类号: G01R19/00
- IPC分类号: G01R19/00 ; G01R33/09 ; G01R35/00
摘要:
本发明提供一种具有位置误差校准功能的隧穿磁阻电流传感器及校准方法,通过获取待测导线周围的磁通量及聚磁环与待测导线发生相对偏移后的相对位置信息;根据磁通量计算敏感轴方向上的磁场强度;根据磁场强度和相对位置信息,计算得出待测导线中的电流。通过在隧道磁阻电流传感器上增加角度传感器,测量传感器与待测导线的相对偏移位置,校准隧道磁阻芯片所处位置与被测电流导线的绝对位置,通过磁场矢量分解计算,得出准确的被测电流值,提高电流传感器的测量精度。