发明授权
CN1128475C 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件
- 专利标题（英）： Semiconductor device
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申请号： CN96121720.0申请日： 1996-11-20
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公开(公告)号： CN1128475C公开(公告)日： 2003-11-19
- 发明人: 富田至洋 , 泽井章能 , 浅井胜乘
- 申请人： 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 三菱电机株式会社,菱电半导体系统工程株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社,菱电半导体系统工程株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权： 72215/1996 1996.03.27 JP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/28 ; H01L21/60
摘要：
用于增强芯片和固定基片间连接装置的疲劳寿命的半导体器件，具有近似球形的隆起电极和焊接区电极的多个突出电极部分形成于芯片下表面。多个近似球形的连接端通过加热熔化直接连接于相对应的焊接区电极。多个连接面被做在引线板的上表面。引线板在平面结构上要比芯片的面积大，多个外电极部分被制作在引线板的下表面，每一个外电极部分包括连接面和基本上为球形的外电极。连接面通过加热熔化分别直接连接于相对应的连接端。
公开/授权文献
- CN1160932A 半导体器件 公开/授权日：1997-10-01
IPC分类:
