Invention Grant
- Patent Title: 一种低压高精度带隙基准电路
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Application No.: CN202110086387.7Application Date: 2021-01-22
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Publication No.: CN112859996BPublication Date: 2022-02-22
- Inventor: 沈洁 , 陈后鹏 , 倪圣兰 , 李喜 , 宋志棠
- Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Applicant Address: 上海市长宁区长宁路865号
- Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Current Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Current Assignee Address: 上海市长宁区长宁路865号
- Agency: 上海泰能知识产权代理事务所
- Agent 钱文斌
- Main IPC: G05F1/567
- IPC: G05F1/567
Abstract:
本发明涉及一种低压高精度带隙基准电路,包括:正温度电流产生电路,用于产生与绝对温度正相关的电流;负温度电流产生电路,用于产生与绝对温度负相关的电流;高温补偿电路,用于在温度升高时产生高温补偿电流;低温补偿电路,用于在温度降低时产生低温补偿电流;电流电压转换电路,用于采用所述高温补偿电流和低温补偿电流对产生的绝对温度正相关的电流和绝对温度负相关的电流进行补偿,并将补偿后的电流转换为电压。本发明针对曲线特征在高温、低温时引入或引出正温特性补偿电流,具有更好的温度特性,提高了系统的工作性能和可靠性。
Public/Granted literature
- CN112859996A 一种低压高精度带隙基准电路 Public/Granted day:2021-05-28
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IPC分类: