发明授权
- 专利标题： 一种半导体衬底的制备方法
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申请号： CN202110034385.3申请日： 2021-01-11
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公开(公告)号： CN112864006B公开(公告)日： 2022-11-08
- 发明人: 欧欣 , 伊艾伦 , 游天桂
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构： 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 郝传鑫; 贾允
- 主分类号： H01L21/266
- IPC分类号： H01L21/266 ; H01L21/225 ; H01L21/324
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体衬底的制备方法。该半导体衬底的制备方法包括以下步骤：提供一碳化硅晶圆，该碳化硅晶圆为重掺杂晶圆；在该碳化硅晶圆的第一表面上形成二氧化硅保护层；从该第一表面对该碳化硅晶圆进行离子注入，得到第一衬底；去除该第一衬底上的二氧化硅保护层，得到第二衬底；对该第二衬底进行退火处理，得到该半导体衬底。使用本申请提供的制备碳化硅衬底的制备方法具有制造成本低的优点。
公开/授权文献
- CN112864006A 一种半导体衬底的制备方法 公开/授权日：2021-05-28
IPC分类:
