一种三维存储器的制备方法，包括：在衬底上设置包括多个阶梯台阶的叠层结构；形成覆盖每个阶梯台阶顶面和侧壁的缓冲层；去除覆盖每个阶梯台阶侧壁的缓冲层，并在阶梯台阶上方形成介质层；以及去除栅极牺牲层，并去除每个阶梯台阶顶面的缓冲层；在去除栅极牺牲层所形成的空间内填充导电材料以形成栅极层；以及在去除缓冲层所形成的空间填充导电材料以形成浮动接触结构。一种三维存储器，包括：衬底；具有多个阶梯台阶的叠层结构；浮动接触结构，位于每个阶梯台阶的顶面，并通过将形成在阶梯台阶顶面的缓冲层置换为导电材料而形成；以及介质层，位于阶梯台阶和浮动接触结构上方，其中，浮动接触结构与上一阶梯台阶的侧壁之间由介质层间隔开。