本发明涉及一种改善硒化锑界面和能带结构的方法及硒化锑太阳能电池。改善硒化锑界面和能带结构的方法是通过水热法利用高压反应釜在硒化锑薄膜上沉积一层硫化铟；再利用化学水浴法，在硫化铟层之上沉积一层硫化镉，以形成带有硫化铟/硫化镉（In2S3/CdS）双缓冲层的硒化锑太阳能电池，利用硫化铟/硫化镉双缓冲层来改善硒化锑的异质结界面和形成更好的能带排列，使得硒化锑太阳能电池的缺陷更少，复合更少。本发明在薄膜沉积过程中，通过调控反应时间及其退火温度来制得更好的双缓冲层薄膜，与硒化锑更好的匹配形成最佳异质结。该工艺方法工艺简单，成本低廉，操作可控，厚度易控，适合进一步的推广与应用。