- 专利标题: MIS-HEMT器件的界面态分析方法及装置
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申请号: CN202080005984.6申请日: 2020-04-02
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公开(公告)号: CN112955760B公开(公告)日: 2022-05-31
- 发明人: 林信南 , 熊树豪
- 申请人: 北京大学深圳研究生院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区
- 专利权人: 北京大学深圳研究生院
- 当前专利权人: 北京大学深圳研究生院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区
- 代理机构: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
- 代理商 郭燕; 彭家恩
- 国际申请: PCT/CN2020/083057 2020.04.02
- 国际公布: WO2021/077684 ZH 2021.04.29
- 进入国家日期: 2021-05-06
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G01R27/26 ; H01L21/66
摘要:
一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置,该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型,等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路,通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线,并将该组作为拟合组函数曲线;根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数,由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图,使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。
公开/授权文献
- CN112955760A MIS-HEMT器件的界面态分析方法及装置 公开/授权日:2021-06-11