Invention Publication
- Patent Title: 蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池
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Application No.: CN202110132481.1Application Date: 2021-01-31
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Publication No.: CN112968128APublication Date: 2021-06-15
- Inventor: 李海明 , 冯新文 , 张俊双 , 姜磊 , 站文华 , 郭洪武 , 周静 , 曹宇
- Applicant: 国家电网有限公司 , 国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司 , 东北电力大学
- Applicant Address: 北京市西城区西长安街86号; ;
- Assignee: 国家电网有限公司,国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司,东北电力大学
- Current Assignee: 国家电网有限公司,国网内蒙古东部电力有限公司赤峰供电公司,东北电力大学
- Current Assignee Address: 北京市西城区西长安街86号; ;
- Agency: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- Agent 杜文茹
- Main IPC: H01L51/42
- IPC: H01L51/42 ; H01L51/48 ; C23C14/06 ; C23C14/24 ; C23C18/12 ; C23C28/04

Abstract:
一种蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池,蒸发/水热两步生长锑基薄膜材料的方法,是采用蒸发/水热两步法制备锑基电子传输吸光薄膜,所述的锑基电子传输吸光薄膜是Sb2S3电子传输吸光薄膜、Sb2Se3电子传输吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3渐变带隙电子传输吸光薄膜中的一种。一种采用锑基薄膜材料制备的锑基薄膜太阳电池,包括有依次叠放的锑基电子传输吸光薄膜、空穴传输层和金属电极层。本发明先用快速热蒸发法生长锑基薄膜,之后采用水热法完成后续薄膜的生长。通过水热法继续生长的锑基薄膜表面平整致密,可以起到钝化锑基薄膜表面缺陷和优化界面特性的效果,有效的解决了因快速热蒸发法所造成的薄膜表面起伏度高,不平整的问题。
Public/Granted literature
- CN112968128B 蒸发水热两步生长锑基薄膜材料的方法和薄膜太阳电池 Public/Granted day:2024-01-26
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IPC分类: