一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，包括：GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格具有特定的结构和厚度，制作在所述GaSb衬底上；反射膜，该反射膜制作在所述InAs/GaSb超晶格上；所述的反射膜由多对1/4波长厚度的ZnS和YbF3膜层构成，且所述的YbF3膜层与所述InAs/GaSb超晶格相接。本发明不仅具有宽带的中红外工作范围，且具有皮实、稳定可靠、参数可调等优良特性，为中红外超快锁模激光器的发展铺平了道路。