- 专利标题: 一种基于高密度电阻率法的止水帷幕评价方法
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申请号: CN202110159471.7申请日: 2021-02-05
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公开(公告)号: CN112985718B公开(公告)日: 2022-09-30
- 发明人: 聂艳侠 , 刘卫未 , 周予启 , 李浩波 , 马书杰 , 谢志成 , 史江川
- 申请人: 中建一局集团建设发展有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区望花路西里17号楼
- 专利权人: 中建一局集团建设发展有限公司
- 当前专利权人: 中建一局集团建设发展有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区望花路西里17号楼
- 代理机构: 北京中建联合知识产权代理事务所
- 代理商 孙彦斌; 晁璐松
- 主分类号: G01M3/40
- IPC分类号: G01M3/40 ; E02D19/18
摘要:
本发明公开了一种基于高密度电阻率法的止水帷幕评价系统及方法,该止水帷幕评价系统包括:止水帷幕,其为沿基坑周圈设置的封闭止水结构,且基坑内侧设置有多个疏干井;多根测试管,多根测试管沿止水帷幕周长方向均匀间隔预埋于止水帷幕的内部;多个测试电极,多个测试电极沿测试管的长度方向间隔固定在测试管上,每个测试电极包括穿设在测试管内的测试电缆;数据收集装置,其与测试电缆相连接,用于进行数据采集;数据分析装置,其与数据收集装置相连接,用于对所采集的数据进行分析。本发明能够对止水帷幕止水效果进行定性及定量的分析判断,从而降低了基坑工程风险。
公开/授权文献
- CN112985718A 一种基于高密度电阻率法的止水帷幕评价系统及方法 公开/授权日:2021-06-18