发明公开
- 专利标题: SOC芯片内Flash存储器的低功耗控制装置及方法
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申请号: CN202110327800.4申请日: 2021-03-26
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公开(公告)号: CN112987903A公开(公告)日: 2021-06-18
- 发明人: 胡建国 , 曾宪光 , 王德明 , 吴劲 , 丁颜玉 , 段志奎
- 申请人: 广东曜芯科技有限公司 , 广州智慧城市发展研究院
- 申请人地址: 广东省佛山市顺德区北滘镇环镇东路南1号B栋2层B222室;
- 专利权人: 广东曜芯科技有限公司,广州智慧城市发展研究院
- 当前专利权人: 广东曜芯科技有限公司,广州智慧城市发展研究院
- 当前专利权人地址: 广东省佛山市顺德区北滘镇环镇东路南1号B栋2层B222室;
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 盛明星
- 主分类号: G06F1/3225
- IPC分类号: G06F1/3225
摘要:
本发明提供一种SOC芯片内Flash存储器的低功耗控制装置及方法,该装置包括控制逻辑模块,用于根据预先设定的控制逻辑生成时钟门控使能信号,并将其发送至时钟门控模块;还用于根据接收的控制模块反馈的操作结束信号,生成相应新的时钟门控使能信号以使时钟门控模块控制控制模块的时钟输入;时钟门控模块,用于根据标准时钟信号和时钟门控使能信号进行开启或关闭,还在开启时生成控制模块的时钟输入;控制模块,用于根据时钟输入对Flash存储器进行相应控制操作,并在操作结束后即时反馈操作结束信号至控制逻辑模块。该装置可使用NOR‑Flash直接运行程序,还能大大降低控制模块对Flash存储器进行控制操作的功耗。
IPC分类: