Invention Grant
- Patent Title: 磁阻效应元件
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Application No.: CN202011422090.5Application Date: 2020-12-08
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Publication No.: CN112993148BPublication Date: 2024-08-02
- Inventor: 犬伏和海 , 中田胜之 , 市川心人
- Applicant: TDK株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: TDK株式会社
- Current Assignee: TDK株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 杨琦; 徐飞跃
- Main IPC: H10N50/10
- IPC: H10N50/10 ; H10N50/85
Abstract:
本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。
Public/Granted literature
- CN112993148A 磁阻效应元件 Public/Granted day:2021-06-18
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