本发明涉及磁存储技术，公开了一种存储单元，包括：压电基片，压电基片上镀制有电极；第一磁铁层，其位于压电基片一侧并具有自由翻转的磁矩；第二磁铁层；反铁磁层，形成在第二磁铁层的与所述非磁性层相反的一侧，用于钉扎第二磁铁层的磁矩方向；非磁性层，其位于第一磁铁层和所述第二磁铁层之间，其中，压电基片为受到电压产生应变的绝缘材料，且其中，第一磁铁层以接收应变翻转所述第一磁铁层的磁矩。本发明可实现通过压电基片产生的应力向第一铁磁层传递逆磁电耦合效应，调制其磁矩，最终使使存储单元在施加应力和不施加应力的情况下整体实现对外正及负方向的磁矩，实现磁存储。