本发明提供一种晶片翘曲测量装置和方法，所述装置包括：加热部件，其用于加热晶片；加热控制器，用于控制加热部件的加热参数和/或状态；温度探测器，用于探测晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；光源，用于产生探测光束；第一光学组件，用于基于探测光束获得平行入射光束；反射镜组，用于将平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使平行入射光束分别沿两入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置；光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，基于两路光返回时间差确定晶片中央位置和晶片边缘位置的高度差，从而确定受热晶片的翘曲度。