发明公开
- 专利标题: 非对称三维叉梳微柱阵列电极结构超级电容器制备方法
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申请号: CN202110290457.0申请日: 2021-03-18
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公开(公告)号: CN113035590A公开(公告)日: 2021-06-25
- 发明人: 尹亚江 , 王晓峰 , 尤政
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区精密仪器系9003楼4504室
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区精密仪器系9003楼4504室
- 代理机构: 北京国林贸知识产权代理有限公司
- 代理商 李富华
- 主分类号: H01G11/86
- IPC分类号: H01G11/86 ; H01G11/26 ; H01G11/28
摘要:
本发明公开了属于微型超级电容器领域的一种非对称三维叉梳微柱阵列电极结构超级电容器制备方法,所述超级电容器采用ICP刻蚀与激光雕刻等微纳加工工艺,设计制备出叉梳微柱阵列电极结构,在叉梳微柱阵列电极结构表面溅射一层金作为集流体,继而分别在正极与负极微结构表面沉积赝电容与双电层电容材料薄膜,制备出非对称式微型MEMS超级电容器。通过叉梳式微柱阵列电极结构,有效提升了电极比表面积,同时非对称超级电容器体系可综合双电层电容和赝电容储能机制,可拓宽电化学稳定窗口,提升器件储能密度,可应用于物联网节点电源、个人电子产品等领域。