Invention Grant
- Patent Title: 一种负极片及其应用
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Application No.: CN202110267865.4Application Date: 2021-03-12
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Publication No.: CN113066954BPublication Date: 2023-02-28
- Inventor: 韦世超 , 彭冲 , 李俊义
- Applicant: 珠海冠宇电池股份有限公司
- Applicant Address: 广东省珠海市斗门区井岸镇珠峰大道209号
- Assignee: 珠海冠宇电池股份有限公司
- Current Assignee: 珠海冠宇电池股份有限公司
- Current Assignee Address: 广东省珠海市斗门区井岸镇珠峰大道209号
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 张娜; 刘芳
- Main IPC: H01M4/13
- IPC: H01M4/13 ; H01M10/0525 ; H01M50/536
Abstract:
本发明提供一种负极片及其应用。本发明的负极片包括集流体和设置在所述集流体至少一个功能表面的活性层;所述活性层在所述集流体的宽度方向上包括依次设置的第一部分和第二部分,所述第一部分靠近所述集流体的一个侧边缘,所述第一部分的硅含量小于所述第二部分的硅含量。本发明的负极片中由于含有硅材料,可以提高负极片的克容量,由于第一部分的硅含量小于第二部分的硅含量,第一部分的动力学性能大于第二部分的动力学性能,第一部分的脱嵌锂效果好,可以使掺入硅材料的负极片边缘析锂少。
Public/Granted literature
- CN113066954A 一种负极片及其应用 Public/Granted day:2021-07-02
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