本发明涉及一种氧化硅单包铯铜氯量子点及其制备方法和应用，属于量子点技术领域。本发明利用低温包覆技术，在较低温度下利用前驱体捕捉空气中的水并且进行快速水解，在铯铜氯量子点表面成功包覆氧化硅，氧化硅包覆不仅可以有效钝化铯铜氯量子点的表面缺陷，增加其发光量子产率，还可以提高量子点的稳定性。该氧化硅单包铯铜氯量子点薄膜发光量子产率高达76％，利用该氧化硅单包铯铜氯量子点制备的白光发光二极管具有发光显色指数高和色温适宜等优势，且稳定性好。在可见光通信中作为光源，其‑3dB带宽为420KHz，在OFDM模式下的比特加载达到了4bit/s/Hz。该方法具有重复性好、无高温高压条件需求、成本较低等特点，适合扩大化生产。