本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n结，并通过器件阻断耐压时该p‑n结空间电荷区的耗尽与扩展在平行于栅宽方向引入电场强度分量，改变原有电场方向，使得栅极漏侧电场尖峰得到缓解，电场强度明显降低；同时，利用该p‑n结耗尽二维电子气，降低了器件漏电流，提高器件单位漂移区长度耐压能力。本发明通过在氮化镓HEMT器件中引入P型氮化镓—二维电子气p‑n结实现了一种不同于传统场板技术的新型电场调制方式，利用该新结构在提高器件击穿电压的同时降低了器件的导通电阻。