发明公开
- 专利标题： 基于平面型全耗尽绝缘体上硅器件的图形解析能力的提升方法
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申请号： CN202110211492.9申请日： 2021-02-25
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公开(公告)号： CN113093470A公开(公告)日： 2021-07-09
- 发明人: 吴宗晔 , 叶甜春 , 罗军 , 赵杰 , 王云
- 申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 澳芯集成电路技术(广东)有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋;
- 专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,澳芯集成电路技术(广东)有限公司
- 当前专利权人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,澳芯集成电路技术(广东)有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋;
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 王志红
- 主分类号： G03F1/36
- IPC分类号： G03F1/36 ; G03F7/20
摘要：
本申请涉及集成电路设计领域，具体涉及一种基于平面型全耗尽绝缘体上硅器件的图形解析能力的提升方法，包括以下步骤：获取集成电路上主图形的数据；根据所述数据插入虚拟图形；根据预定的规则筛选出容易产生圆角的图形；在筛选图形的至少部分边角处插入散射条；根据所述数据插入散射条；执行光学邻近效应修正的步骤。通过在容易产生圆角图形的边角处插入散射条，大大降低了图形的圆角化，从而提高了主图形的分辨率以及图形解析能力，提高了产品的良率。
