本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供衬底；于所述衬底内形成栅极沟槽，所述栅极沟槽包括第一沟槽及第二沟槽；所述第二沟槽位于所述第一沟槽上方，且与所述第一沟槽相连通，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；于所述栅极沟槽内形成栅极字线。本发明的半导体结构的制备方法通过制备上部比下部宽的栅极沟槽，可以得到上部比较宽的栅极字线，由于栅极字线的上部比较宽，便于第一互连结构与栅极字线的对准接触，可以确保第一互连结构与栅极字线具有足够大的接触面积，从而减小第一互连结构与栅极字线的接触电阻，提高存储器件的电性，使得存储器件具有较好的读写速度和存储效率。