Invention Grant
- Patent Title: 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管
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Application No.: CN201911419489.5Application Date: 2019-12-31
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Publication No.: CN113122232BPublication Date: 2023-06-27
- Inventor: 宋斌
- Applicant: TCL科技集团股份有限公司
- Applicant Address: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- Assignee: TCL科技集团股份有限公司
- Current Assignee: TCL科技集团股份有限公司
- Current Assignee Address: 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- Agency: 深圳中一联合知识产权代理有限公司
- Agent 黄志云
- Main IPC: C09K11/02
- IPC: C09K11/02 ; C09K11/56 ; H10K50/115
Abstract:
本发明提供了一种量子点材料的制备方法,包括:配置包括锌、镉、硫的的前驱体溶液,在惰性气氛下加热至第一反应温度,得到Cd1‑xZnxS量子点核溶液;在惰性气氛中,于第二反应温度下,在所述Cd1‑xZnxS量子点核溶液中添加第一硫前驱体、第一镉前驱体和第一锌前驱体,进行第一壳层反应,得到Cd1‑xZnxS/Cd1‑yZnyS量子点溶液;在惰性气氛中,于第三反应温度下,在所述Cd1‑xZnxS/Cd1‑yZnyS量子点溶液中添加第二硫前驱体、第二镉前驱体和第二锌前驱体,进行外壳层反应,制备得到Cd1‑xZnxS/Cd1‑yZnyS/Cd1‑zZnzS量子点。
Public/Granted literature
- CN113122232A 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管 Public/Granted day:2021-07-16
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