发明授权
- 专利标题: 掩膜版及三重图形化的方法
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申请号: CN201911423432.2申请日: 2019-12-30
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公开(公告)号: CN113130303B公开(公告)日: 2023-10-17
- 发明人: 吴维维 , 王兴荣 , 陆思远
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- 代理机构: 上海知锦知识产权代理事务所
- 代理商 高静
- 主分类号: H01L21/033
- IPC分类号: H01L21/033 ; H01L21/336
摘要:
一种掩膜版及三重图案化的方法,所述掩膜版包括第一、第二和第三掩膜版;第一掩膜版包括第一矩形窗口图形;所述第二掩膜版包括第二矩形窗口图形;所述第三掩膜版包括第三非矩形窗口图形;所述第一矩形窗口、第二矩形窗口和第三矩形窗口图形拼接构成预设的目标非矩形窗口;所述目标非矩形窗口用于定义衬底表面待刻蚀去除鳍部的区域。上述的方案,可以避免光刻过程中L形拐角处的圆角化(corner rounding)现象影响到鳍部的预定非矩形图案的实际尺寸,故可以提高后续形成器件的性能。
公开/授权文献
- CN113130303A 掩膜版及三重图形化的方法 公开/授权日:2021-07-16
IPC分类: