发明授权
- 专利标题: 一种大功率肖特基二极管
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申请号: CN202110326192.5申请日: 2021-03-26
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公开(公告)号: CN113130626B公开(公告)日: 2021-11-12
- 发明人: 周勇
- 申请人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
- 申请人地址: 广东省东莞市寮步镇寮步百业路76号1栋103室
- 专利权人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
- 当前专利权人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省东莞市寮步镇寮步百业路76号1栋103室
- 代理机构: 东莞市永桥知识产权代理事务所
- 代理商 姜华
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/47 ; H01L29/872
摘要:
本发明系提供一种大功率肖特基二极管,包括N型衬底,N型衬底下设有阴极金属层,阴极金属层围绕有第一绝缘保护环;N型衬底上设有N型外延层,N型外延层的顶部设有P型保护环,N型外延层的顶部中间设有若干等间隔设置的凹陷槽,相邻两个凹陷槽之间的距离为1.2~1.8μm,P型保护环所围绕的N型外延层上覆盖有肖特基势垒层,肖特基势垒层的顶部覆盖有阳极金属层;P型保护环的顶部设有钝化保护环,P型保护环上还覆盖有环形的功函数金属层,阳极金属层还覆盖于功函数金属层上;第一绝缘保护环外固定有散热陶瓷套。本发明能够有效增大可通过的电流,能够提高它们运作的针对性效果,能够显著提高反向击穿电压,结构紧凑牢固。
公开/授权文献
- CN113130626A 一种大功率肖特基二极管 公开/授权日:2021-07-16
IPC分类: