Invention Grant
- Patent Title: 一种B4Si及B6Si的提纯方法
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Application No.: CN202110488057.0Application Date: 2021-04-30
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Publication No.: CN113135576BPublication Date: 2022-06-28
- Inventor: 李明伟 , 孙宇雷 , 董国华 , 张庆猛 , 钟业盛 , 杨剑民 , 陈均优 , 史丽萍 , 赫晓东 , 张文治 , 何飞
- Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号; ;
- Assignee: 哈尔滨工业大学,齐齐哈尔大学,有研工程技术研究院有限公司
- Current Assignee: 哈尔滨工业大学,齐齐哈尔大学,有研工程技术研究院有限公司
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号; ;
- Agency: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- Agent 侯静
- Main IPC: C01B35/02
- IPC: C01B35/02
Abstract:
一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
Public/Granted literature
- CN113135576A 一种B4Si及B6Si的提纯方法 Public/Granted day:2021-07-20
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