本发明公开了一种集成电路芯片制造过程中的迭对测量方法，包括如下步骤：针对芯片制造过程的各个工艺层次，采集晶圆上各迭对标记图像数据或采集晶圆上部分区域内的迭对测量数据；利用采集的迭对标记图像数据或迭对测量数据，分别建立机器学习模型：迭对标记图像处理模型、迭对测量数据预测模型；迭对测量时，通过已建立的迭对标记图像处理模型对迭对标记图像进行处理，或，通过已建立的迭对测量数据预测模型以及在晶圆上部分区域内采集的迭对测量数据对同一晶圆上其他未测量区域内的迭对测量数据进行预测。本发明通过机器学习模型对迭对测量的数据进行处理或预测，提高了迭对测量的稳定性、精度和测量效率。