Invention Publication
- Patent Title: 离子产生装置、放电基板以及电子设备
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Application No.: CN201980077368.9Application Date: 2019-11-20
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Publication No.: CN113169528APublication Date: 2021-07-23
- Inventor: 大江信之 , 江崎哲也 , 冈野哲之
- Applicant: 夏普株式会社
- Applicant Address: 日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
- Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee Address: 日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
- Agency: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
- Agent 叶乙梅
- Priority: 2018-221708 20181127 JP
- International Application: PCT/JP2019/045386 2019.11.20
- International Announcement: WO2020/110851 JA 2020.06.04
- Date entered country: 2021-05-25
- Main IPC: H01T19/04
- IPC: H01T19/04 ; H01T23/00

Abstract:
离子产生装置(11)包括:放电电极基板(2),安装有放电电极(5、6),并形成有分别连接到放电电极(5、6)的面电极(7、8);感应电极基板(3),形成有兼用作在与放电电极(5、6)之间产生放电的感应电极的复合电极(9、10);及绝缘树脂(4),至少填充在放电电极(5、6)与复合电极(9、10)之间,将放电电极(5、6)与复合电极(9、10)绝缘。面电极(7、8)以及复合电极(9、10)以分别至少一部分对向的方式配置。由面电极(7、8)、复合电极(9、10)、及介于面电极(7、8)和复合电极(9、10)之间的绝缘树脂(4)形成电容器(21、22)。
Public/Granted literature
- CN113169528B 离子产生装置、放电基板以及电子设备 Public/Granted day:2022-05-17
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