- 专利标题: 一种基于密度泛函理论计算提高富锂铁锰基正极材料性能的改性方法
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申请号: CN202110385279.X申请日: 2021-04-09
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公开(公告)号: CN113173606B公开(公告)日: 2022-11-22
- 发明人: 赵煜娟 , 候辰 , 余乐乐 , 邢依然 , 司永恒 , 卢寒
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 刘萍
- 主分类号: H01M4/505
- IPC分类号: H01M4/505 ; C01G53/00 ; G16C20/10 ; H01M4/525 ; H01M10/0525
摘要:
一种基于密度泛函理论计算提高富锂铁锰基正极材料性能的改性方法,属于锂离子电池正极材料领域。包括以下步骤:通过VESTA软件建构基础计算模型,并使用VASP软件计算Li2MnO3体系在过渡金属元素铌(Nb)掺杂前后的态密度、能带、Bader电荷结果,分析结果表明Nb的掺杂有助于改善体系结构稳定性;实验中用溶胶凝胶法合成Nb掺杂前后的富锂铁锰基正极材料,结果显示Nb掺杂提升了材料的循环性能和倍率性能。本发明通过密度泛函理论计算探究Nb掺杂机理,确定Nb为掺杂元素,并通过实验验证Nb实际掺杂影响,为富锂铁锰基正极材料的改性发展提供思路,打下基础。
公开/授权文献
- CN113173606A 一种基于密度泛函理论计算提高富锂铁锰基正极材料性能的改性方法 公开/授权日:2021-07-27