本发明公开了一种可降低残压比的氧化锌电阻片及其制备方法，该方法经准备氧化锌电阻片的原料、浆料的制备、坯体的制备和烧结四大步骤制备得到氧化锌电阻片；通过前预煅烧的方式将Mg2+和Al3+离子共同渗入ZnO晶粒内部，由于Mg2+离子粒径略小于Zn2+离子，可在ZnO晶格内形成拉应力，促进了Al3+离子的有效渗入，避免Al3+离子在ZnO晶界附近的富集，使Al3+离子向ZnO晶粒内部渗透，可有效降低ZnO晶粒电阻，且减小晶界Al3+离子浓度，这样便不会增大漏电流，所制备的氧化锌电阻片残压比和残压都有效降低。本发明工艺简单，易于控制，成本低廉。