Invention Publication
- Patent Title: 稀土钴永磁体、其制造方法和装置
-
Application No.: CN202110088593.1Application Date: 2021-01-22
-
Publication No.: CN113205935APublication Date: 2021-08-03
- Inventor: 幕田裕和 , 町田浩明 , 藤原照彦 , 金森悠
- Applicant: 株式会社东金
- Applicant Address: 日本宫城县
- Assignee: 株式会社东金
- Current Assignee: 株式会社东金
- Current Assignee Address: 日本宫城县
- Agency: 北京柏杉松知识产权代理事务所
- Agent 刘晶晶; 王庆艳
- Priority: 2020-015379 20200131 JP 2020-184478 20201104 JP
- Main IPC: H01F1/055
- IPC: H01F1/055 ; H01F41/02
Abstract:
提供了具有优异磁特性的稀土钴永磁体、这种稀土钴永磁体的制造方法以及装置。稀土钴永磁体由以下成分组成：23至27质量％的R、1.0至5.0质量％的Cu、18至25质量％的Fe、1.5至3.0质量％的Zr和作为余量的Co以及不可避免的杂质，R表示至少包括Sm的稀土元素，其中稀土钴永磁体包含多个晶粒和晶界部分，并且在晶界部分中，Cu的浓度至少为Zr的浓度的两倍。
Information query
