发明公开
- 专利标题: 一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件
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申请号: CN202110300887.6申请日: 2021-03-22
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公开(公告)号: CN113206090A公开(公告)日: 2021-08-03
- 发明人: 罗彦娜 , 殷华湘 , 吴振华 , 张青竹 , 曹磊
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 佟林松
- 主分类号: H01L27/092
- IPC分类号: H01L27/092 ; H01L21/8238
摘要:
本发明涉及一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件,具体为提供基底,在基底上形成基础鳍片结构,在所示基础鳍片上形成第一堆栈部和第二堆栈部,第二堆栈部竖直地堆栈在所述第一堆栈部上;所述第一堆栈部具有至少一个I型沟道结构;所述第二堆栈部具有至少一个II型沟道结构;所述第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向垂直于第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向。形成第一环绕式栅极结构,其设置在所述I型沟道结构周围;形成第二环绕式栅极结构,其设置在所述II型沟道结构周围。与现有技术相比,本发明有益的技术效果为:本发明利用侧墙掩蔽与选择性分步刻蚀结合的方法,实现Vertical Nano‑sheet与Horizontal Nano‑sheet的垂直集成,达到同时优化NMOS与PMOS沟道晶向的目的,实现在单一晶圆上NMOS与PMOS的性能同时优化。
公开/授权文献
- CN113206090B 一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件 公开/授权日:2023-12-19