本发明公开了一种屏蔽栅功率器件制造方法及其功率器件，包括如下步骤：步骤S1，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上刻蚀形成多个深沟槽，步骤S2、刻蚀所述源多晶硅层，定义原胞区和保护环区刻蚀所述原胞区处的所述源多晶硅层，步骤S3、刻蚀所述氧化层，步骤S4、沉积薄膜层，在所述原胞区和所述保护环区同时沉积二氧化硅薄膜层；步骤S5、沉积栅多晶硅层，步骤S6、涂布光刻胶层，在所述栅多晶硅层上涂布光刻胶，形成所述光刻胶层；步骤S7、栅多晶硅回刻，对所述光刻胶层和所述栅多晶硅层进行回刻；使所述原胞区的所述栅多晶硅层与所述半导体衬底上的所述薄膜层齐平，并使所述保护环区无所述栅多晶硅层残留。