- 专利标题: 光固化性压敏胶黏剂的评价方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法
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申请号: CN201980085272.7申请日: 2019-12-19
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公开(公告)号: CN113227303B公开(公告)日: 2023-02-17
- 发明人: 山中大辅 , 彼谷美千子
- 申请人: 昭和电工材料株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 昭和电工材料株式会社
- 当前专利权人: 昭和电工材料株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 白丽
- 优先权: 2018-247812 20181228 JP
- 国际申请: PCT/JP2019/049957 2019.12.19
- 国际公布: WO2020/137836 JA 2020.07.02
- 进入国家日期: 2021-06-22
- 主分类号: C09J201/00
- IPC分类号: C09J201/00 ; B23K26/53 ; H01L21/301 ; C09J7/38
摘要:
本发明公开一种用于切割晶粒接合一体型膜中的光固化性压敏胶黏剂的评价方法。该评价方法包括:准备由光固化性压敏胶黏剂形成的光固化性压敏胶黏剂片,实施拉伸试验,并制作试验力相对于位移的图表,根据滞后回线求出被滞后回线包围的面积作为损失功的工序;准备具备由光固化性压敏胶黏剂形成的光固化性压敏胶黏剂层的切割晶粒接合一体型膜,对光固化性压敏胶黏剂层照射紫外线而形成光固化性压敏胶黏剂层的固化物,并且测定使黏合剂层与光固化性压敏胶黏剂层的固化物剥离时的剥离力的工序;及根据损失功及剥离力来判断光固化性压敏胶黏剂的良否的工序。
公开/授权文献
- CN113227303A 光固化性压敏胶黏剂的评价方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法 公开/授权日:2021-08-06