本发明公开了一种具有温度和成分检测功能的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚和加热装置，还包括测温管和气体检测管，所述测温管包括第一测温管和第二测温管，测温管内引入具有钨铼热电偶和/或红外测温的方式，实现了2000度以上高温测量；气体检测管利用气体成分分析台连接的成分分析仪器及时获得碳和硅的比例并反馈，有利于对生长气氛中碳硅比例的调整；本发明技术方案中的驱动装置的设计，可实现测温管和气体检测管在石墨坩埚内部的上下移动，为测温管和气体检测管在石墨坩埚内不同位置进行温度和气体检测提供保障。