本发明公开了一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料及其制备方法，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：硅橡胶10－20％，成瓷填料30－40％，低熔点助熔剂15－30％，气相二氧化硅15－30％，余量为功能助剂以及不可避免的杂质，其中，所述功能助剂包括结构化控制剂和硫化剂，结构化控制剂和硫化剂共计1－3％。本发明利用混炼、硫化后得到的前驱体具有的优良机械性能，进而将前驱体加工成型为复杂绝缘结构的形状后，再进行烧结，烧结成瓷后得到的陶瓷体成品具有耐腐蚀、耐高温、防辐射、导热性能优异等性能，同时，降低了陶瓷材料的成瓷温度，实现了在1000℃下制得致密的陶瓷体，满足了实际的应用需求，克服了现有陶瓷绝缘材料所存在的不足。