- 专利标题： 一种基于GOS：Tb透明陶瓷闪烁屏的高分辨中子成像探测器及其制造方法
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申请号： CN202110363620.1申请日： 2021-04-02
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公开(公告)号： CN113253332B公开(公告)日： 2024-03-26
- 发明人: 周健荣 , 孙志嘉 , 李江 , 陈元柏 , 蒋兴奋 , 杨文钦 , 周晓娟 , 夏远光 , 潘宏明 , 丁继扬 , 陈昊鸿 , 谢腾飞
- 申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 广东省东莞市松山湖科技产业园区科学园生产力大厦; ;
- 专利权人： 散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 广东省东莞市松山湖科技产业园区科学园生产力大厦; ;
- 代理机构： 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
- 代理商 郭燕
- 主分类号： G01T3/06
- IPC分类号： G01T3/06 ; C04B35/50 ; C04B35/622
摘要：
一种基于GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏的高分辨中子成像探测器及其制造方法。该高分辨中子成像探测器包括：GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏，用于吸收中子并发出闪烁光；光路系统，用于收集所述GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏上的闪烁光并将其投影至感光元件上；以及感光元件，用于通过接收闪烁光并进行光电转换，记录中子的成像信息。由于GOS:Tb透明陶瓷为透明结构且厚度为微米级别，因此可以有效降低光斑尺寸，提高光输出率，从而实现微米级的空间分辨率。
公开/授权文献
- CN113253332A 一种基于GOS：Tb透明陶瓷闪烁屏的高分辨中子成像探测器及其制造方法 公开/授权日：2021-08-13
