本发明涉及一种硅基负极材料及其制备方法和应用。硅基负极材料包括：氧化亚硅基质和碳原子，其中所述碳原子以原子级别均匀分布在氧化亚硅基质中；碳原子与硅原子结合形成无序的C‑S i键，X射线衍射能谱(XRD)中无S i C的结晶峰；所述硅基负极材料的X射线光电子能谱(XPS)中，C 1s能谱分峰后在283.5±1eV位置处有属于C‑S i键的结合峰；所述硅基负极材料颗粒的平均粒径D50为1nm‑100μm，比表面积为0.5m2/g‑40m2/g；所述碳原子的质量占氧化亚硅基质质量的0.1％‑40％。本发明以气态处理所得超细的硅结合高导电的碳，形成了分子水平混合的无序C‑S i键结构，有利于减缓材料的体积膨胀，提升氧化亚硅内部的导电性，提升材料的快充性能。