Invention Grant
- Patent Title: 利用磁场而具有沿厚度方向排列的离子传输路径的离子传导性膜及其制造方法
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Application No.: CN202110183954.0Application Date: 2021-02-10
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Publication No.: CN113258110BPublication Date: 2024-10-29
- Inventor: 金熙卓 , 玄宗弦
- Applicant: 韩国科学技术院
- Applicant Address: 韩国大田
- Assignee: 韩国科学技术院
- Current Assignee: 韩国科学技术院
- Current Assignee Address: 韩国大田
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 金世煜; 李书慧
- Main IPC: H01M8/1053
- IPC: H01M8/1053 ; H01M8/1086 ; C08J5/22 ; C08L101/04 ; C08K7/04 ; C08K3/22 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
Abstract:
根据本发明的离子传导性膜包括离子传导性基质、以及分散在上述离子传导性基质中并沿膜厚度方向取向的一维复合体，上述一维复合体包括：非传导性的一维纳米结构的核、包裹上述核并在其表面结合有磁性纳米颗粒的中间层、以及传导与上述基质内的离子相同种类的离子的表面层。
Public/Granted literature
- CN113258110A 利用磁场而具有沿厚度方向排列的离子传输路径的离子传导性膜及其制造方法 Public/Granted day:2021-08-13
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