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CN113293429B 一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法
失效 - 权利终止
摘要：
本发明公开了一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法。引入助熔剂Sb2S3来降低单斜相Ga2S3单晶的结晶温度，通过晶体生长参数（温度梯度，下降速度等），制得能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶，尺寸可达Φ10×20mm，且在紫外可见光区域透过率可达90%以上。
公开/授权文献
- CN113293429A 一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法 公开/授权日：2021-08-24
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