本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上通过外延生长形成外延结构，外延结构包括外延层和帽层，通过涂覆光阻、经曝光、显影形成图形化光阻定义出窗口区域，然后对窗口区域内露出的帽层进行刻蚀，使得帽层下方的外延层在窗口区域露出，然后对窗口区域露出的外延层进行离子注入形成隔离区，如此，使得帽层在窗口区域的位置形成物理隔断，避免在对帽层离子注入制作隔离区后依然会因为帽层为重掺杂结构从而增加主动器件经隔离区与其它区域的漏电流的问题，同时，还能够利用隔离区对主动器件起到进一步的绝缘隔离作用，有效限制主动器件与其它区域的漏电流。