发明公开
- 专利标题: 一种双层稀土离子掺杂YAG陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202110850567.8申请日: 2021-07-27
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公开(公告)号: CN113372116A公开(公告)日: 2021-09-10
- 发明人: 孔令兵 , 何宇 , 蔡云翔 , 张玲 , 刘凯歌 , 项炳锡 , 翟剑庞
- 申请人: 深圳技术大学
- 申请人地址: 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号
- 专利权人: 深圳技术大学
- 当前专利权人: 深圳技术大学
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号
- 代理机构: 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理商 徐凯凯
- 主分类号: C04B35/50
- IPC分类号: C04B35/50 ; C04B35/622 ; C04B35/638
摘要:
本发明公开了一种双层稀土离子掺杂YAG陶瓷及其制备方法,其中,制备方法包括步骤:将氧化铈、氧化钆、氧化镨和氧化铬中的一种或多种分别与氧化铝和氧化钇的混合物混合并进行湿法球磨处理,得到不同的混合粉料;将所述不同的混合粉料分别与分散剂、粘合剂、增塑剂以及有机溶剂混合,振动球磨后得到不同的流延浆料;将所述不同的流延浆料分别进行流延并干燥,得到不同的生胚;将两层不同的生胚层叠在一起进行层压处理,得到双层YAG生胚;对所述双层YAG生胚进行排胶和烧结处理,得到所述双层稀土离子掺杂YAG陶瓷。本发明制备的双层稀土离子掺杂YAG陶瓷,其组合多变,对发光的调控更加灵活,可有效改善陶瓷的显色指数。