发明授权
- 专利标题： 一种形成纳米间隙电极对的制备方法
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申请号： CN202110620000.1申请日： 2021-06-03
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公开(公告)号： CN113406162B公开(公告)日： 2022-10-21
- 发明人: 唐龙华 , 江涛
- 申请人： 浙江大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 林超
- 主分类号： G01N27/30
- IPC分类号： G01N27/30 ; G01R19/00 ; C25D7/00 ; C25F3/14 ; C03B23/043 ; C03B23/045 ; C03B23/047
摘要：
本发明提供了一种形成纳米间隙电极对的制备方法。首先通过施加外力将多通道细管拉制成单侧具有尖端的纳米移液器；之后采用电化学沉积、化学刻蚀、机械可控裂结或电刻蚀在纳米移液器尖端设置具有纳米间隙的电极对；最后将制备得到的电极对浸泡在溶剂中保存。本发明通过多通道细管的选择、拉制参数的设计、电化学材料的选择、电流反馈的控制和电压的参数选择，制备得到了具有亚10纳米间隙的电极对。
公开/授权文献
- CN113406162A 一种形成纳米间隙电极对的制备方法 公开/授权日：2021-09-17
