- 专利标题： 半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器
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申请号： CN202110686531.0申请日： 2021-06-21
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公开(公告)号： CN113437047B公开(公告)日： 2022-07-12
- 发明人: 张泽华 , 杨盛玮
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 高洁; 张颖玲
- 主分类号： H01L23/544
- IPC分类号： H01L23/544 ; H01L27/11556 ; H01L27/11582 ; H01L21/60
摘要：
本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。所述测试结构包括：第一半导体结构，包括：控制电路；第二半导体结构，位于所述第一半导体结构之上，包括：位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构；其中，所述导电结构与所述衬底电连接；焊盘，位于所述第二半导体结构之上，通过所述导电结构与所述衬底电连接，且与所述控制电路电连接。
公开/授权文献
- CN113437047A 半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器 公开/授权日：2021-09-24
IPC分类:
