- 专利标题: 基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及制备方法
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申请号: CN202110802199.X申请日: 2021-07-15
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公开(公告)号: CN113471343A公开(公告)日: 2021-10-01
- 发明人: 许晟瑞 , 贠博祥 , 许文强 , 陶鸿昌 , 王若冰 , 张雅超 , 张进成 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址: 安徽省芜湖市弋江区安徽信息工程学院西一楼
- 专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人: 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省芜湖市弋江区安徽信息工程学院西一楼
- 代理机构: 陕西电子工业专利中心
- 代理商 王品华
- 主分类号: H01L33/14
- IPC分类号: H01L33/14 ; H01L33/06 ; H01L33/00
摘要:
本发明公开了一种基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及其制备方法,其自下而上包括:c面蓝宝石衬底、高温AlN成核层、非故意掺杂GaN层、第一n型GaN层、第二n型GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型GaN层和p型电极,两个n型GaN层之间增设有超强极化n型层,第一n型GaN层上部的一侧设有n型电极,该超强极化n型层采用ScAlGaN/GaN多层结构,每个ScAlGaN层和它上面的GaN层组合为一个周期。本发明增大了n型层中掺杂Si的电离率同时缓解了电流拥挤效应,提高了器件的发光效率和可靠性,可用于制作高效率的GaN基绿光发光设备。
公开/授权文献
- CN113471343B 基于ScAlGaN超强极化n型层的GaN绿光发光二极管及制备方法 公开/授权日:2023-11-10