一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干第一区和第二区，第二区位于相邻的第一区之间；在待刻蚀层上形成牺牲层；在第一区上的牺牲层内形成若干第一凹槽；在第一凹槽侧壁表面形成第一侧墙；对第二区上的部分牺牲层进行改性处理，形成第一改性层，第一改性层位于相邻第一凹槽之间且与第一侧墙相接触；对第一区上的部分牺牲层进行改性处理，形成第二改性层，第二改性层位于第一区上相邻的第一凹槽之间且与第一侧墙相接触；去除牺牲层，在第一改性层、第二改性层和第一侧墙之间形成第二凹槽；形成第二凹槽之后，以第一改性层、第二改性层和第一侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀层。所述方法提升了半导体结构的尺寸精准度。