发明授权
- 专利标题： 基于非理想无磁场点的磁纳米粒子成像方法
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申请号： CN202110824213.6申请日： 2021-07-21
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公开(公告)号： CN113534025B公开(公告)日： 2022-06-14
- 发明人: 田捷 , 李怡濛 , 惠辉 , 张鹏
- 申请人： 北京航空航天大学
- 申请人地址： 北京市海淀区学院路37号
- 专利权人： 北京航空航天大学
- 当前专利权人： 北京航空航天大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区学院路37号
- 代理机构： 北京天汇航智知识产权代理事务所
- 代理商 黄川
- 主分类号： A61B5/0515
- IPC分类号： A61B5/0515
摘要：
本发明涉及一种基于非理想无磁场点(FFP)的磁纳米粒子成像方法，该方法基于非理想FFP的磁场条件，分析非理想FFP区域的SPIOs的响应以及检测线圈的电压信号特征，通过获取等效理想FFP电压信号与等效FFP移动速度，求解图像值从而得到重建结果。该方法减少了因为实际MPI仪器中FFP不是理想无磁场区域对图像重建产生的伪影与相位误差，弥补了传统重建方法忽略实际非理想FFP情况进行重建的不足，极大提高重建质量与分辨率。
公开/授权文献
- CN113534025A 基于非理想无磁场点的磁纳米粒子成像方法 公开/授权日：2021-10-22
