发明公开
CN113562767A 一种少层过渡金属双硫化合物的制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 一种少层过渡金属双硫化合物的制备方法
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申请号： CN202110813838.2申请日： 2021-07-19
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公开(公告)号： CN113562767A公开(公告)日： 2021-10-29
- 发明人: 袁丛辉 , 唐振斌 , 许一婷 , 戴李宗 , 杨羽歆 , 梁芷暄 , 吴晨至 , 曾碧榕 , 罗伟昂
- 申请人： 厦门大学
- 申请人地址： 福建省厦门市思明南路422号
- 专利权人： 厦门大学
- 当前专利权人： 厦门大学
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市思明南路422号
- 代理机构： 厦门市首创君合专利事务所有限公司
- 代理商 张松亭; 游学明
- 主分类号： C01G39/06
- IPC分类号： C01G39/06 ; C01B19/00 ; C01G41/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种少层过渡金属双硫化合物的制备方法，通过将含邻苯二酚基团的小分子有机物作为辅助剥离剂，利用邻苯二基团与过渡金属的配位作用，再通过超声将块状的过渡金属双硫化合物分离成少层过渡金属双硫化合物。本发明制备出来的少层过渡金属双硫化合物具备高度结晶性,因而在中场效应晶体管、光电探测器等领域具有广泛的应用潜力。
IPC分类:
