发明公开
- 专利标题: 一种取向硅钢的磁畴细化方法及应用
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申请号: CN202110781803.5申请日: 2021-07-09
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公开(公告)号: CN113564321A公开(公告)日: 2021-10-29
- 发明人: 司良英 , 肖辉明 , 李瑞凤 , 王现辉 , 庞炜光 , 玄利剑 , 赵松山 , 于海彬
- 申请人: 首钢智新迁安电磁材料有限公司
- 申请人地址: 河北省唐山市迁安市西部工业区兆安街025号
- 专利权人: 首钢智新迁安电磁材料有限公司
- 当前专利权人: 首钢智新迁安电磁材料有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省唐山市迁安市西部工业区兆安街025号
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 王瑞琳
- 主分类号: C21D8/12
- IPC分类号: C21D8/12 ; C21D1/30 ; C21D1/74 ; B23K26/364 ; C23F1/28
摘要:
本发明提供了一种取向硅钢的磁畴细化方法,属于高磁感取向硅钢生产技术领域技术领域,包括:采用激光在带钢表面烧蚀出若干沟槽;采用腐蚀液对所述沟槽进行腐蚀,获得刻槽;其中,所述沟槽与带钢宽度方向的夹角为0‑20°;所述沟槽的深度为0.5~20μm,宽度为30~200μm;所述刻槽深度为0.5~30μm、宽度为30~300μm。该方法能够显著的细化磁畴,降低取向硅钢片单位损耗,同时细化磁畴的效果能够承受800℃‑900℃的消除应力退火。本发明还提供了一种取向硅钢的磁畴细化方法在取向硅钢生产中的应用。
公开/授权文献
- CN113564321B 一种取向硅钢的磁畴细化方法及应用 公开/授权日:2024-04-12