Invention Grant
- Patent Title: 一种用于中低原子序数物质的μ子成像方法
-
Application No.: CN202110880685.3Application Date: 2021-08-02
-
Publication No.: CN113576504BPublication Date: 2023-06-27
- Inventor: 王晓冬 , 季选韬 , 魏鑫
- Applicant: 南华大学
- Applicant Address: 湖南省衡阳市常胜西路28号
- Assignee: 南华大学
- Current Assignee: 南华大学
- Current Assignee Address: 湖南省衡阳市常胜西路28号
- Agency: 长沙正奇专利事务所有限责任公司
- Agent 张珉瑞
- Main IPC: A61B6/00
- IPC: A61B6/00 ; A61B6/02 ; G01N23/044
Abstract:
本发明公开了一种用于中低原子序数物质的μ子成像方法,包括如下步骤:S1、获取所有重建μ子径迹与若干个给定数学平面的交点的坐标;S2、将各交点的坐标取整后赋予给对应的体素;S3、统计每个体素的交点数量;S4、筛选出交点数量大于预设阈值的体素;S5、将筛选后的体素成像,得到待成像物体的图像。由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本发明通过计算重建μ子径迹与给定数学平面的交点坐标,再根据交点的密集程度将待成像物体断层成像。本发明提供的方法对μ子径迹探测器的灵敏面积要求不高,且没有采用迭代的思想,可以通过设定阈值排除掉偶然符合产生的错误信息,从而更好地实现对厘米级物体的成像。
Public/Granted literature
- CN113576504A 一种用于中低原子序数物质的μ子成像方法 Public/Granted day:2021-11-02
Information query